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硅太阳能电池背表面钝化研究

来源:论文学术网
时间:2024-08-18 22:19:44
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硅太阳能电池背表面钝化研究【摘要】:降低体晶体硅成本,是日益竞争激烈光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的

【摘要】: 降低体晶体硅成本,是日益竞争激烈光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。对于薄片化的硅太阳能电池,背面钝化显得越来越重要了。本文通过对少数载流子有效寿命的检测分析和丝网印刷形成背局域接触的方法对背面钝化技术作了系统的实验研究。 首先,利用PC1D模拟背面复合速度对太阳能电池效率的影响,采用CTO、RTO、SIN及其叠加层这些不同介质膜作为背表面钝化膜,通过QSSPCD检测其钝化效果。实验发现氮化硅膜的厚度从26nm到75nm的时候,钝化效果基本相同,而在17nm左右的时候,钝化效果有所下降,1.9到2.3折射率的氮化硅薄膜对背面钝化的影响不是很大,2.3折射率氮化硅薄膜的退火特性几乎和2.0折射率的退火特性相同,对于不同的腐蚀界面,双面氮化硅的钝化效果基本一致,而对于叠加层来说,经过RTP处理之后,diffused硅片的少子寿命有少许下降,CTO的氧化时间在80分钟左右的时候,少子寿命有逐渐下降的趋势,而在50-80分钟的时候,少子寿命上升。 其次,采用三种不同的方法去除背P-N结,实验发现:三种去背结的效果几乎一致。采用丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250um,间距2mm,经过RTP处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法,来形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。 【关键词】:晶体硅太阳能电池 背面钝化CTO、RTO、SIN 背面局域接触
【学位授予单位】:江南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2008
【分类号】:TM914.4
【目录】:
  • 摘要3-4
  • Abstract4-7
  • 第一章 绪论7-15
  • 1.1 太阳能电池前景7-8
  • 1.1.1 能源危机7
  • 1.1.2 可再生能源7-8
  • 1.2 太阳能电池的发展历史及现状8-11
  • 1.2.1 单晶硅电池9
  • 1.2.2 多晶硅电池9
  • 1.2.3 非晶硅/单晶硅异质结(HIT)太阳电池9-10
  • 1.2.4 薄膜光伏电池10-11
  • 1.3 背面钝化技术研究概况11-13
  • 1.4 本文主要的研究工作13-15
  • 第二章 太阳能电池原理15-23
  • 2.1 光电转换过程15-16
  • 2.2 P-N 结的形成16
  • 2.3 太阳能电池等效电路图16-17
  • 2.4 影响电池效率的主要因素17-18
  • 2.5 少数载流子的复合理论18-20
  • 2.6 钝化膜的表面钝化作用20-23
  • 第三章 实验设备23-29
  • 3.1 直接式PECVD23
  • 3.2 RTP 设备23-24
  • 3.3 热氧化炉24
  • 3.4 椭偏仪24-25
  • 3.5 暂稳态少子寿命测试仪(QSSPCD)25-26
  • 3.6 太阳电池效率测试仪26-27
  • 3.7 本章小结27-29
  • 第四章 硅片背表面钝化研究29-47
  • 4.1 太阳能电池薄片化29-30
  • 4.2 背面复合损失30
  • 4.3 PC1D 模拟30-32
  • 4.4 不同介质膜的钝化效果32-45
  • 4.4.1 氢化的不同厚度的氮化硅膜的背面钝化作用32-37
  • 4.4.2 对不同的腐蚀界面钝化的效果37
  • 4.4.3 不同折射率氮化硅膜背面钝化效果37-40
  • 4.4.4 2.3 折射率氮化硅膜的退火特性40-42
  • 4.4.5 CTO,RTO 及与氮化硅叠层的钝化效果42-45
  • 4.5 本章小结45-47
  • 第五章 电池结果及分析47-55
  • 5.1 背面钝化电池47-54
  • 5.1.1 去除P-N 结的实验47-49
  • 5.1.2 背面钝化电池的制备49-52
  • 5.1.3 利用腐蚀浆料的方法制备背接触52-54
  • 5.2 本章小结54-55
  • 第六章 总结和展望55-57
  • 6.1 总结55-56
  • 6.2 展望56-57
  • 致谢57-58
  • 参考文献58-62
  • 附录:作者在攻读硕士学位期间发表的论文62


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