腐蚀法制备选择性发射极单晶硅太阳能电池的研究

【摘要】：摘要：本文主要研究了腐蚀法制备单晶硅选择性发射极太阳能电池。 选择性发射极的核心是表面的重/轻掺杂区发射极,本文通过深入的研究最终确定了制备单晶硅选择性发射极太阳能电池的新扩散和腐蚀工艺：重扩散方阻为35Ω/□,腐蚀后非电极区方阻在70-105Ω/□之间为佳。掩膜印刷和电极印刷两者的对位印刷对选择性发射极太阳能电池的制备也很重要,本文通过实验分析了印刷机和刮刀对对位印刷的影响。发现同一台印刷机,同一块正银网版,同一套刮刀,对位精度高；同一台印刷机,正银与掩膜网版配套,印刷掩膜和正银不是同一套刮刀,对位存在问题,但基本满足要求。 最后通过实验片和正常片的测试结果对比,研究了选择性发射极太阳能电池对基本特征参数的影响,通过实验发现,SE工艺在开路电压Voc上增加了0.008V,在短路电流Jsc上增加了0.31A,在填充因子FF上增加了0.89,在效率上提高了0.72%。 【关键词】：腐蚀 选择性发射极 太阳能电池 方块电阻
【学位授予单位】：北京交通大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2011
【分类号】：TM914.4
【目录】：

• 致谢5-6
• 中文摘要6-7
• ABSTRACT7-8
• 序8-11
• 1 引言11-16
• 1.1 课题研究背景11-12
• 1.2 太阳能电池发展状况12-13
• 1.2.1 太阳能电池的发展状况12
• 1.2.2 我国太阳能资源分布及发展状况12-13
• 1.3 本课题的主要研究内容13-14
• 1.4 本课题的研究目的和意义14-16
• 1.4.1 研究目的14
• 1.4.2 研究意义14-16
• 2 太阳能电池16-34
• 2.1 太阳能电池分类和比较16-18
• 2.1.1 太阳能电池分类16-17
• 2.1.2 各类太阳能电池的比较17-18
• 2.2 太阳能电池原理及结构18-20
• 2.2.1 太阳能电池原理18-19
• 2.2.2 太阳能电池结构19-20
• 2.3 太阳能电池基本特征参数20-24
• 2.3.1 短路电流20-21
• 2.3.2 开路电压21-22
• 2.3.3 填充因子22-23
• 2.3.4 转换效率23-24
• 2.4 单晶硅太阳能电池工艺流程简介24-34
• 2.4.1 制绒24-26
• 2.4.2 扩散26-28
• 2.4.3 刻蚀28-29
• 2.4.4 镀膜PECVD29-31
• 2.4.5 印刷31-32
• 2.4.6 烧结32
• 2.4.7 测试32-34
• 3 选择性发射极太阳能电池的制备34-39
• 3.1 选择性发射极太阳能电池研究现状34
• 3.2 选择性发射极太阳能电池制备原理及结构34-35
• 3.2.1 选择性发射极太阳能电池制备原理34-35
• 3.2.2 选择性发射极太阳能电池结构35
• 3.3 选择性发射极太阳能电池制备方法35-36
• 3.4 腐蚀法选择性发射极太阳能电池制备36-39
• 3.4.1 常规太阳能电池制备36-37
• 3.4.2 腐蚀法选择性发射极太阳能电池制备37-39
• 4 实验结果与分析39-56
• 4.1 扩散结果及分析39-42
• 4.2 腐蚀结果及分析42-46
• 4.2.1 腐蚀后方块电阻结果及分析42-44
• 4.2.2 腐蚀后少子寿命结果与分析44-45
• 4.2.3 腐蚀后镀膜反射率结果及分析45-46
• 4.3 对位印刷分析46-49
• 4.3.1 印刷机对位分析46-48
• 4.3.2 刮刀对对位印刷的影响48-49
• 4.4 丝网印刷后电池栅线高度和宽度的对比49-51
• 4.5 测试分选的结果及分析51-56
• 5 结论56-57
• 参考文献57-59
• 作者简历59-61
• 学位论文数据集61

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