GaAs基InAs量子点太阳能电池的制备与特性分析
GaAs基InAs量子点太阳能电池的制备与特性分析【摘要】:GaAs太阳能电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好、高温性能好等优点,在广泛利用太阳能方面,有着很好的发展前景。本论文利
【学位授予单位】:长春理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2012
【分类号】:TM914.4
【目录】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-6
- 目录6-7
- 第一章 绪论7-21
- 1.1 引言7
- 1.2 半导体量子点的特性及其在太阳能电池中的应用7-10
- 1.3 半导体量子点制备技术介绍10-16
- 1.4 量子点太阳能电池的研究历史16-20
- 1.5 本章小结及本论文安排20-21
- 第二章 MBE生长技术21-27
- 2.1 分子束外延技术简介21-25
- 2.2 光致发光(PL)表征25-26
- 2.3 原子力扫描显微镜(AFM)26
- 2.4 本章小结26-27
- 第三章 InAs/GaAs量子点的外延生长27-32
- 3.1 引言27
- 3.2 量子点的生长过程27
- 3.3 结果与讨论27-31
- 3.4 本章小结31-32
- 第四章 GaAs基量子点太阳能电池的制备与特性分析32-38
- 4.1 引言32
- 4.2 InAs/GaAs量子点太阳能电池的设计与测试装置32-34
- 4.3 InAs/GaAs量子点电池的制备34
- 4.4 实验结果与讨论34-37
- 4.5 本章小结37-38
- 第五章 结论38-39
- 致谢39-40
- 参考文献40-41
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