用Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜异质结作太阳能电池的窗口

【摘要】：具有良好的 n—型导电性的Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜常常被用作异质结太阳能电池中的收集器窗口层。本文报导了 CdS,(Zn,Cd)S,和 ZnO 薄膜的制备和特性.CdS 和(Zn,Cd)S 薄膜是用二元化合物的真空蒸镀法制备的.可以采用高源温度来获得由 S 空位所形成的本征掺杂.估计了施主浓度随蒸镀温度的变化。采用共蒸镀镓载铟的方法来提供本征的掺杂。适当地调节沉积条件和 Ga 的掺杂浓度,可以得到良好导电的 x0.5的(Zn_xCd_(1-x))S 膜。ZnO 膜可以用反应蒸镀法来制备,也可以在 O_2气氛中溅射 Zn 或溅射 ZnO 靶来制备。在无非本征掺杂的情况下可以获得400Ω~(-1)cm~(-1)的导电率.本文还讨论了具有Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ_2吸收体的各种异质结的特性.本文还对 CuGaSe_2异质结相对于带的不连续性在理论上所得到的开路电压和实验结果进行了比较. 【关键词】： 异质结太阳能电池 薄膜太阳能电池 化合物薄膜 高导电率 掺杂浓度 吸收体 制备 不连续性 真空蒸镀法 非本征
【正文快照】： 摘要 具有良好的n一型导电性的l一班族化合物薄膜常常被用作异质结太阳能电池中的收集器窗口层。本文报导了CdS,(Zn,Cd)S,和Zno薄膜的制备和特性。CdS和(Zn,Cd)S薄膜是用二元化合物的真空蒸镀法制备的.可以采用高源温度来获得由S空位所形成的本征掺杂.估计了施主浓度随蒸镀温

您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容

CdS,ZnO_(1-x)S_x电子结构和光学特性的第一性原理研究    张海霞;楚兴丽;王天兴;

热丝CVD法制备a-Si_(1-x)C_x薄膜的光电性能研究    程彬;沈鸿烈;吴天如;丁滔;肖少文;陆婷;

    

    

    

    

    

    

    

    

CuO薄膜的制备及其光伏特性    张君善;高斐;刘晓静;宋美周;李宁;

Ar/H_2/SiCl_4大气压射频等离子体射流的光谱诊断    刘莉莹;张家良;郭卿超;王德真;

有机硅单体离化掺杂制备硅铝二元氧化物薄膜    王正铎;刘忠伟;桑利军;陈强;

新型纳米光子周期性结构设计及其光传输特性研究    郑改革

大气压高频辉光混合气体放电数值模拟    庄娟

容性耦合硅烷放电中纳米尺度尘埃颗粒生长机制及输运过程模拟    刘相梅

金属平板和光栅结构理论研究    徐威

薄膜太阳能电池中半导体电极热电性质的第一性原理研究    袁小娟

铜铟硒材料及薄膜的制备    陈代高

Ga掺杂CuInSe_2电子结构和光学性质的第一性原理研究    李建华

CdS薄膜及其太阳能电池的制备和性质研究    常笑薇

CSS法制备CdTe薄膜的掺杂性质研究    马灵灵

ECR-PECVD法低温沉积Poly-Si薄膜的研究    李伯海

染料敏化太阳能电池光阳极的制备及其性能研究    武丽慧

Si_（1-x）Ge_x薄膜的PECVD制备与Al诱导低温晶化    沈晓彦

PIN型非晶硅太阳能电池ZnO：Al/Al复合背反射电极的研究    刘云周