μc-Si∶Hp-i-n薄膜太阳能电池中i层的设计分析

【摘要】：通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ型或Ｐ型掺杂都会在ｉ层中造成低场区而不利于光生载流子传输，指出μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ太阳能电池制造中采用补偿μｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜充当吸收体ｉ层能提高长波（＞８００ｎｍ）载流子收集效率，从而增大电池的短路电流 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系
【关键词】： μc－Si∶Hp－i－n薄膜太阳能电池 载流子收集效率 Newton－Raphson解法
【分类号】：TM914.42
【正文快照】： μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池中ｉ层的设计分析＠林鸿生￥中国科学技术大学物理系通过应用Ｓｃｈａｒｆｅｔｅｒ－Ｇｕｍｍｅｌ解法数值求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程，对热平衡μｃ－Ｓｉ∶Ｈｐ－ｉ－ｎ薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明，光吸收体ｉ层中Ｎ

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