μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析

【摘要】：应用计算机数值模拟方法计算n＋（μc－SiC：H）／p（poly－Si）及n＋（μc－SiC∶H）／i（a－SiC∶H）／p（poly－Si）异质结太阳能电池中的电场强度分布，说明μc－SiC／poly－Si异质结电池制造中μc－SiC：H膜厚选择，进而对嵌入a-SiC∶H薄层的μc－SiC／poly－Si异质结太阳能电池设计进行分析，包括a－SiC∶H薄层N型掺杂效应，最后讨论μc－SiC／poly－Si太阳能电池稳定性。 【作者单位】： 中国科学技术大学物理系!合肥230026
【关键词】： 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC∶H隙态密度分布 载流子收集
【分类号】：TM914
【正文快照】： 1引言传统单晶硅（。－St）太阳能电池由于材料、器件制造工艺日臻完善，其电池能量转换效率高达24％［‘］，名列半导体太阳能电池前茅。但昂贵成本和制造价格妨碍了它在工业中的广泛应用。70年代，研究者在多晶硅（poly毛i）上制造太阳能电池，作了降低成本价格的第一个尝

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