甲烷流量对高掺硼金刚石多晶薄膜形态生长的影响

【摘要】：在不同的甲烷流量下,用热丝化学气相沉积方法(HFCVD)在N型(100)单晶硅片上制备了掺硼金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜检测的结果表明,随着甲烷流量的增加,掺硼金刚石薄膜的二次形核增加,晶粒尺寸减小,晶界变得模糊,结晶性下降,非金刚石相增多,过高的甲烷流量导致掺硼金刚石薄膜的球状生长. 【作者单位】： 大连理工大学物理与光电工程学院;大连理工大学三束材料表面改性实验室;大连理工大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 掺硼金刚石 热丝CVD 扫描电子显微镜 拉曼光谱
【分类号】：O484.42
【正文快照】： 纯的金刚石薄膜是价带被电子完全占据而导带完全没有被占据的禁带宽度达到5.5eV的宽禁带半导体,具有高的电子与空穴迁移率.通过掺硼,金刚石薄膜转变为P型半导体,硼受主原子电离能为0.37eV[1];掺硼浓度达到一定量时,金刚石薄膜从半导体性质转变为类金属性质,甚至在低温下还出

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