高方阻太阳能电池用正面银浆导电机理研究

【摘要】：分别研发了适用高方阻和低方阻晶硅太阳能电池的正面银浆A和B,并将两者应用到尺寸为156 mm×156 mm,方块电阻分别为60Ω/sq、85Ω/sq的多晶硅电池片上。结果显示两种银浆制备的60Ω/sq多晶硅电池片性能十分接近,而85Ω/sq多晶硅电池片性能差异明显。在利用A、B两种浆料制备的85Ω/sq多晶硅电池片中,B的Rs较A高8.15 mΩ,FF低8.1%,Eff低2.28%,接触电阻率是A的5倍以上。并将A、B两种银浆印刷于已经扩散、镀膜的抛光单晶片上,烧结后再使用HNO3、HF依次腐蚀银和玻璃,观察玻璃、硅界面的状态。结果表明A在硅上留下的腐蚀坑较B的数量多、分布均匀、腐蚀深度均一,且A的玻璃层厚度更小,对氮化硅的开孔率更高。 【作者单位】： 上海太阳能工程技术研究中心有限公司;
【关键词】： 高方阻 传输线 接触电阻 腐蚀坑 隧道效应
【基金】：上海市科学技术委员会优秀技术带头人计划课题“高效太阳电池用低阻高分辨率银浆”(14XD1425200)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 1引言晶硅太阳能电池以其较高的转化效率、长寿命以及低生产成本,在太阳能电池的总产量中仍占有主导地位。晶硅太阳能电池正面金属化工艺主要采用丝网印刷来实现[1],银厚膜银浆作为丝网印刷的原料,在追求更高的电池效率的目标指引下,需要被不断改进更新。晶硅电池片的方阻已由

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