InGaN太阳能电池材料的辐射性质

【摘要】：对采用分子束外延生长的In1-xGaxN薄膜与金属有机化学气相沉积生长的GaAs和Ga0.51In0.49P薄膜太阳能电池材料进行了对比研究,探讨了全太阳光谱材料系In1-xGaxN合金薄膜受到高能粒子辐射后的电学特性变化规律。实验结果显示:GaAs和Ga0.51In0.49P的光致发光信号强度受到照射的强烈压制,而受到类似剂量照射后InN的光致发光信号强度没有下降;In1-xGaxN合金薄膜材料的电学特性表现出用高能质子(2MeV)照射比当前常用的GaAs和GaInP光伏材料有更高的电阻。这表明,In1-xGaxN对高能粒子损伤没有GaAs和GaInP那么敏感,从而给空间受到强辐射的高效太阳能电池提供了巨大的应用潜力。 【作者单位】： 佛山科学技术学院光电子与物理学系
【关键词】： 太阳能电池 InGaN 辐照损伤 光致发光 Fermi能级
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： III-V半导体合金的高效串联太阳能电池已应用到空间多个领域。对太阳能电池来说,由电阻造成高能辐照损失是其一个基本的特征。目前,使用的串联太阳能电池是用2或3节不同半导体材料堆叠而成的[1],Ga0.51In0.49P/GaAs/Ge三结电池获得效率超过30%[2]。关于该电池的效率,理论上认

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