In_(1-x)Ga_xN/Si异质结太阳能电池的光伏特性研究

【摘要】：通过器件模拟对n—In1-xGaxN/p—Si异质结的光伏特性进行了研究,并与c—Si同质结薄膜电池的性能作了比较。在AM1.5的光照条件下,n—IGN/p—Si异质结在最佳的电池设计、最佳的材料和最佳的操作参数条件下获得的电池效率达到了27%。电池效率受到薄膜质量的强烈影响,从电子亲和势、多数载流子的迁移率、少数载流子的寿命、薄膜厚度以及掺杂水平的变化可以得到说明。 【作者单位】： 华南师范大学光电子材料与技术研究所 华南师范大学光电子材料与技术研究所
【关键词】： 太阳能电池 InGaN 光伏特性 光致发光
【基金】：广州市LED工业研究开发基地、香港健隆投资有限公司研发项目
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 研究表明,GaN或A lN与InN固态溶液混合,其混合物的光学带隙可以在非常大的范围内调整,即可以从电磁光谱的近红外区域到紫外区域的范围内进行调整。对Si/InN异质结太阳能电池优越的光伏特性的报道[1,2],是假设InN有直接的光学带隙,光子能量处在1.9 eV附近。这个值与在AM 0辐射

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