GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化
来源:论文学术网
时间:2024-08-18 12:54:59
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GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化【摘要】:为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法
【摘要】:为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终优化过的太阳能电池功率转换效率可达到17.6%.分析结果表明,通过钝化处理以降低GaAs纳米线的表面复合速率,可显著提升电池的功率转换效率,而通过减小纳米线顶端高掺杂区域的体积,可减少载流子复合损耗,从而提高电池效率.该研究可为制作高性能的纳米线太阳能电池提供参考.
【作者单位】:
中国传媒大学理学院;
【关键词】: 太阳能电池 砷化镓纳米线 有限时域差分 光吸收 模拟
【基金】:国家自然科学基金(No.61071148)资助~~
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 也受到了广泛关注,2008年,J.Zhu等通过刻蚀法得0 引言到多晶硅纳米线阵列,对400~800nm范围内的光吸和传统太阳能电池相比,纳米线阵列太阳能电池收率达到70%,高于同等厚度薄膜53%的吸收率[2],具有反射率低、陷光能力强、易释放应力、对材料缺陷2010年,M.D.Kelzenberg等通过气
【关键词】: 太阳能电池 砷化镓纳米线 有限时域差分 光吸收 模拟
【基金】:国家自然科学基金(No.61071148)资助~~
【分类号】:TM914.4
【正文快照】: 也受到了广泛关注,2008年,J.Zhu等通过刻蚀法得0 引言到多晶硅纳米线阵列,对400~800nm范围内的光吸和传统太阳能电池相比,纳米线阵列太阳能电池收率达到70%,高于同等厚度薄膜53%的吸收率[2],具有反射率低、陷光能力强、易释放应力、对材料缺陷2010年,M.D.Kelzenberg等通过气
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