石墨烯/CdTe肖特基结薄膜太阳能电池制备及光电性能研究

【摘要】：采用气相输运沉积技术(VTD)制备了晶体形状规则、晶粒度较大的p型CdTe半导体吸光层薄膜;通过"直接贴附"转移法,将双层石墨烯(GR)转移到CdTe薄膜表面,制备出了新型的GR/CdTe肖特基结太阳能电池。实验结果表明:"直接贴附"转移法获得的石墨烯透光率高、导电性好,制备得到的GR/CdTe肖特基结太阳能电池的转换效率约为1%,是传统"丙酮湿法"转移法的3倍。 【作者单位】： 军械工程学院;中国科学院重庆绿色智能技术研究院;
【关键词】： 石墨烯 CdTe 肖特基结太阳能电池 直接贴附转移 VTD
【基金】：国家自然科学基金(11404329,11374359) 重庆市杰出青年基金(cstc2012jjjq90001) 重庆市科技攻关资助项目(cstc2012gg C50003)
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： (Received 21 July 2015,accepted 25 September 2015)1引言Cd Te作为Ⅱ-Ⅵ族直接带隙化合物半导体,其带隙宽度(1.45 e V)与太阳光谱非常匹配。且Cd Te吸收系数极大[1],只需要1μm厚的薄膜就可以吸收99%以上、波长小于826 nm的可见光[2],是制备高效太阳能电池的理想材料。目前

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