两步法电化学制备CuInSe_2太阳能电池吸收层材料

【摘要】：采用先沉积In2Se3薄膜,再沉积CuInSe2的两步法电化学制备薄膜太阳能电池CuInSe2吸收层材料。通过XRD、SEM、EDX等分析手段检测了材料形貌、结构以及组分等,结果表明薄膜组分比为CuIn1.7Se2.2,其中In和Se的含量相对化学计量比有所增加。循环伏安法研究表明CuInSe的沉积属于诱导共沉积范畴。 【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【关键词】： CuInSe 电沉积 两步法 薄膜
【分类号】：TM914.4
【正文快照】： 0引言太阳能是最吸引人的清洁能源之一。在各类太阳能电池中,新型薄膜铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)太阳能电池因为其吸收层材料CuIn(Ga)Se2具有高的光学吸收系数、直接带隙半导体、与太阳光谱匹配好以及稳定性好等优点成为薄膜太阳能电池的研究重点[1]。制备CuIn(Ga)Se2方法有很多

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