甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律
甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律【摘要】:采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制
【关键词】: SiC一维纳米材料 化学气相反应 宏观产量 微观形貌
【基金】:国家自然科学基金项目(51272117,50972063,51172115) 山东省自然科学基金项目(ZR2011EMZ001,ZR2011EMQ011) 山东省科技攻关计划项目(2012GGX10218) 科技型中小企业技术创新基金项目(10C26213712086)
【分类号】:TB383.1;O613.71
【正文快照】: SiC作为一种宽带隙半导体材料,具有优异的物理和机械性能、良好的化学稳定性及独特的电子学特性,广泛应用于高温、高频、恶劣环境及高性能复合材料等领域。SiC一维纳米材料,因尺寸处于纳米尺度范围而产生的量子尺寸效应和表面效应,使其具有比块体材料更加优异的物理和化学性能
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