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我国自主研发直流大功率充电桩核心芯片成功量产
来源:
时间:2016-04-14 12:17:41
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我国自主研发直流大功率充电桩核心芯片成功量产4月12日,从苏州东微半导体公司了解到,新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产,打破国外厂商垄断。据科技日报4月14日消息,近年
4月12日,从苏州东微半导体公司了解到,新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产,打破国外厂商垄断。
据科技日报4月14日消息,近年来,国内新能源汽车发展迅猛,俗称“快充”的直流充电桩已经遍布高速公路、停车场。直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中,MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。
“交流电进入电桩后,MOSFET通过控制芯片来控制电流通断,形成脉冲电流,再通过电感耦合转换为新能源汽车需要的直流电源。”东微半导体的总经理龚轶介绍。
MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中,需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去,这一领域被国外厂商垄断,国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET,不仅价格高昂,还经常缺货。
东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内充电桩企业批量应用。同时,该产品还出口到韩国、日本和德国市场。同时,还广泛应用在手机充电器、LED照明,显示器、工业照明等电源转换领域。
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