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光伏IGBT功率半导体研究框架

来源:
时间:2022-03-07 15:05:04
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光伏IGBT功率半导体研究框架不同于之前的IGBT百页框架,本篇专注于光伏IGBT光伏装机量持续增长,打开IGBT市场空间。近年来各国政府大力支持光伏行业的发展,光伏装机容量的迅速

不同于之前的IGBT百页框架,本篇专注于光伏IGBT

光伏装机量持续增长,打开IGBT市场空间。近年来各国政府大力支持光伏行业的发展,光伏装机容量的迅速提升驱动逆变器行业成长,2020年全球光伏逆变器出货量迅速增长至185GW,为IGBT市场空间的拓展提供动力。

IGBT使用周期短于光伏组件,存量替换需求持续。逆变器中IGBT等电子元器件使用年限一般为10-15年,而光伏组件的运营周期是25年,所以逆变器在光伏组件的生命周期内至少需要更换一次,2020年全球光伏逆变器的更替需求达8.7GW,同比增长近40%。

国产替代加速,打破海外厂商垄断。此前光伏逆变器领域使用的IGBT几乎都是进口品牌,但是海外供应商大面积缺货,光伏逆变器厂家生产非常紧张,转而选择国内有实力的供应商。国内本土企业与客户联合研发,从源头设计定制的器件,将进一步优化产品性能。

投资机会主要来自于光伏需求和国产替代双重维度,建议关注相关产业链标的

1.设计斯达半导(603290.SH),新洁能(605111.SH),宏微科技(688711.SH),赛晶科技(0580.HK);

2.IDM扬杰科技(300373.SZ),士兰微(600460.SH),华润微(688396.SH),闻泰科技(600745.SH),时代电气(688187.SH),捷捷微电(300623.SZ)。

风险提示国内IGBT产线过度扩张,导致产能过剩价格始终处于低位;产品验证不及预期,客户导入困难;高端产品始终被海外公司垄断,研发技术跟不上国际潮流,定价权被海外厂商主导;半导体周期下滑,产品价格连续几个季度趋势性下跌。

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