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太阳能级铸造多晶硅块(GB/T 29054-2012)

来源:
时间:2015-03-09 16:05:52
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太阳能级铸造多晶硅块(GB/T 29054-2012)前言本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/

前言   本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。   本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)归口。   本标准起草单位:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、宁波晶元太阳能有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。   本标准主要起草人:万跃鹏、唐骏、薛抗美、张群社、孙世龙、游达、朱华英、金虹、刘林艳、段育红。   1范围   本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。   本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块。   2规范性引用文件   下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。   GB/T 1550非本征半导体材料导电类型测试方法   GB/T 1551硅单晶电阻率测定方法   GB/T 1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法   GB/T 1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法   GB/T 1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法   GB/T 6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法   GB/T 14264半导体材料术语   SEMI PV1-0709利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法   3术语和定义   GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。   3.1   硅块silicon brick   一种块状半导体,通常为尺寸均匀的长方体,由多晶硅锭或单晶硅棒切割而成。   4分类   产品按外形尺寸(长X宽)分为125mm×125mm和156mm×156mm,且有效高度应)100mm,或由供需双方协商。   5要求   5.1外观质量   5.1.1在有效高度内无目视可见裂纹、崩边、缺口。   5.1.2红外探伤检测结果不可出现尺寸大于5mm的阴影;每块多晶硅块需测量四个侧面。   5.1.3侧面粗糙度Ra<0.2μM。   5.1.4相邻两面的垂直度为90°±0.25°,如图1所示。   5.1.5倒角尺寸为1.5mm±0.5mm,倒角角度为450±10°,如图1所示。   5.1.6外形尺寸(长×宽)偏差±0.5mm。   5.2性能   性能要求具体见表1,表1中未列出的规格要求由供需双方协商。   6试验方法   6.1外观:用目测检查。   6.2电阻率:按GB/T 1551或GB/T 6616进行;应尽量避免在晶界处测量,选择大晶粒范围内测量,并选取电阻率测量平均值,其具体测量方法由供需双方协商。   6.3导电类型:按GB/T 1550进行。   6.4少数载流子寿命:按GB/T 1553进行。   6.5间隙氧浓度:按GB/T 1557进行。   6.6代位碳浓度:按GB/T 1558进行。   6.7红外探伤检测方法:将太阳能级铸造多晶硅块置于(400-3000)nm红外光源下,通过摄像机观察成像效果。   6.8金属杂质和硼含量:选取太阳能级铸造多晶硅块中直径为(20-40)mm,厚度为(5-20)mm的多晶硅,利用GDMS测量硼元素和金属杂质含量的操作,其具体操作方法可参考SEMI PV1-0709。   6.9侧面粗糙度:用表面粗糙度测试仪测得,测试点在所试表面随机获得。测试要求测量硅块的相邻两侧面,两端面不用测量。   6.10外形尺寸:用游标卡尺或相应精度的量具进行。   6.11相邻两边的垂直度:用万能角尺或相应精度的量具进行。   7检验规则   7.1检验和验收   7.1.1产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验,保证产品质量符合本标准的规定,并填写产品质量保证书。   7.1.2需方可对收到的产品按本标准(或订货合同)的规定进行检验,若检验结果与本标准(或订货合同)的规定不符时,应在收到产品之日起一个月内向供方提出,由供需双方协商解决。   7.2组批   多晶硅块以批的形式提交验收,应由相同规格多晶硅块组成。   7.3检验项目及取样   多晶硅块应进行红外探伤、导电类型、电阻率、少数载流子寿命、外形尺寸及硅块外观等项目的检验。   7.4抽样   每批产品随机抽取20%的试样做导电类型、电阻率、少数载流子寿命检验,如要求按照其他方案进行,由供需双方商定。   7.5检验结果的判定   红外探伤、外形尺寸及硅块外观检验若有1项不合格,则该块多晶硅块为不合格。除去不合格的多晶硅块后,余下的多晶硅块进行导电类型,电阻率和少数载流子寿命检测,若有1项不合格,则重复试验,重复试验仍不合格,则判该批产品不合格。   8标志、包装、运输和贮存   8.1标志、包装   8.1.1使用防震材料包装,然后将经过包装的多晶硅块装人包装箱内,并装满填充物,防止多晶硅块松动,特殊包装由供需双方协商。   8.1.2包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“防腐”等标识,并标明   a)需方名称,地点;   b)产品名称及规格;   c)产品件数及重量(毛重/净重);   d)供方名称。   8.2运输、贮存   8.2.1产品在运输过程中应轻装轻卸,勿挤压,并采取防震、防潮措施。   8.2.2产品应贮存在清洁、干燥的环境中。   8.3质量保证书   每批产品应有质量证明书,写明:   a)供方名称;   b)产品名称及规格;   c)产品批号;   d)产品净重及多晶块数;   e)各项参数检验结果和检验部门的印记;   f)本标准编号;   g)出厂日期。   9订货单(或合同)内容   订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包括下列内容:   a)产品名称;   b)规格;   c)重量;   d)本标准编号;   e)其他。
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