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LED蓝宝石基板生长方法介绍

来源:
时间:2015-03-06 17:24:42
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LED蓝宝石基板生长方法介绍蓝宝石是制作芯片的重要原料,占LED芯片原料费的10%。蓝宝石是指非红色的氧化铝(Al2O3)。含有杂质的蓝宝石很早以前就被作为宝石,由于其具有多种光学

蓝宝石是制作芯片的重要原料,占LED芯片原料费的10%。蓝宝石是指非红色的氧化铝(Al2O3)。含有杂质的蓝宝石很早以前就被作为宝石,由于其具有多种光学、机械、电气、热以及化学特性,因此还被广泛应用于工业等多种领域,而且应用范围仍在不断扩大之中。其中,能够合成制造出蓝宝石更是意义重大。蓝宝石的主要用途包括LED和LED底板。   蓝宝石芯材(Core)和坯料(Blank)由商品变身为“战略性材料”,大量的蓝宝石生产商时隔数年又重新掌握了定价的主导权。而且,他们可以将价格设定为能够最大限度获取利润的水平。其结果是,蓝宝石晶圆的美国国内售价超出我们的预想,上涨到了30美元,现金交易市场上的价格更是超过了30 美元。很多加工蓝宝石的企业和LED厂商为确保产能已经预付了货款,目的是防止生产线停工。   生产蓝宝石晶棒的工艺主要有泡生法(KY法、凯氏长晶法)、提拉法(CZ法、柴氏拉晶法)、温度梯度法(TGT法)等,其中泡生法为主流工艺,生产的蓝宝石晶体约占70%,钻取率约30%。   蓝宝石晶体原材料为氧化铝碎晶,生产利用率大于97%,已经完全国产化。蓝宝石单晶产品即为蓝宝石坯料,可直接出售,不合格品可直接作为原材料再次加工。其他消耗材料如钨钼材料、金刚石刀具、传感器、仪表等均国产化。预计由蓝宝石生产蓝宝石晶棒的原材料、耗材均可由国内充分供应,此环节的短板主要在于长晶炉依赖进口。   国内主要的蓝宝石晶体炉厂家都是高校研究机构,包括西安理工大学、哈尔滨工业大学以及重庆第二十六研究所等。但国内目前的生产技术只能生产2英寸以下的蓝宝石晶棒,长成的晶体与氮化镓(GaN)的晶格错位较大,无法用于LED的蓝宝石衬底领域,大多用于手表表面外壳等。   蓝宝石晶棒的供应商有美国的Rubicon、Honeywell,俄罗斯的 Monocrystal、ATLAS,韩国STC 及国内合晶光电、越峰(台聚转投资)、尚志(大同转投资)及鑫晶钻(奇美、鸿海转投资)。   蓝宝石基板的供应商有美国的Rubicon、Honeywell、Crystal Systems、Saint-Gobain,俄罗斯的Monocrystal、ATLAS Sapphire,日本的京都陶瓷(Kyocera)、Namiki、Mahk,及国内兆远、兆晶(奇美转投资)、晶美、合晶及中美晶等公司。   目前,GaN基衬底包括蓝宝石、SiC、GaN、Zno等,商业化的只有蓝宝石、SiC衬底,除CREE外,基本都使用蓝宝石衬底。   对于新增设备,安装需要3~6个月的时间。从工艺角度而言,大尺寸蓝宝石晶体生产周期需10天左右,准备和后处理需要7天左右,试件加工需要7天左右,质量检测、微观结构及光电性能需要30天左右,工艺分析、模拟需要7天左右。前后就耗去6~8个月的时间。   蓝宝石晶体的生长方法常用的有两种:   1:柴氏拉晶法(Czochralski method),简称CZ法。先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤,再利用一单晶晶种接触到熔汤表面,在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面凝固并生长和晶种相同晶体结构的单晶。晶种同时以极缓慢的速度往上拉升,并伴随以一定的转速旋转,随着晶种的向上拉升,熔汤逐渐凝固于晶种的液固界面上,进而形成一轴对称的单晶晶锭。   2:凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,大陆称之为泡生法。其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似,先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤,再以单晶之晶种(SeedCrystal,又称籽晶棒)接触到熔汤表面,在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶,晶种以极缓慢的速度往上拉升,但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈,待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后,晶种便不再拉升,也没有作旋转,仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固,最后凝固成一整个单晶晶碇。   晶体提拉法   晶体提拉法(crystal pulling method) 由J 。Czochral ski 于1918 年发明,故又称“丘克拉斯基法”,简称CZ 提拉法,是利用籽晶从熔体中提拉生长出晶体的方法,能在短期内生长出高质量的单晶。这是从熔体中生长晶体最常用的方法之一。其优点是: (1) 在生长的过程中,可方便地观察晶体生长的状况; (2) 晶体在熔体表面处生长,不与坩埚接触,能显著地减小晶体的应力,防止坩埚壁的寄生成核; (3) 可以方便地运用定向籽晶和“缩颈”工艺,使“缩颈”后籽晶的位错大大减少,降低扩肩后生长晶体的位错密度,从而提高晶体的完整性。其主要缺点是晶体较小,直径最多达约51~76 mm。。   泡生法   泡生法( Kyropoulos method) 于1926 年由Kyropoul s 发明,经过科研工作者几十年的不断改造和完善,目前是解决晶体提拉法不能生产大晶体的好方法之一。其晶体生长的原理和技术特点是:将晶体原料放入耐高温的坩埚中加热熔化,调整炉内温度场,使熔体上部处于稍高于熔点的状态;使籽晶杆上的籽晶接触熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面温度至熔点,提拉并转动籽晶杆,使熔体顶部处于过冷状态而结晶于籽晶上,在不断提拉的过程中,生长出圆柱状晶体。   泡生法与提拉法生长晶体在技术上的区别是: (1) 晶体直径 在扩肩时前者的晶体直径较大,可生长出100 mm 以上直径的蓝宝石晶体,而后者则有些难度; (2) 晶体方向 前者对生长大尺寸、有方向性的蓝宝石晶体拥有更大的优势;(3) 晶体质量 泡生法生长系统拥有适合蓝宝石晶体生长的最佳温度梯度。在生长的过程中或结束时,晶体不与坩埚接触,大大减少了其应力,可获得高质量的大晶体,其缺陷密度远低于提拉法生长的晶体,且两者生长晶体的形状也不同。
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