Intel 670p SSD深度揭秘QLC闪存可用之处

SSD品牌众多,Intel可以说是非常优秀的那一个,早些年的X25系列至今都是让人津津乐道的经典,不过近些年,Intel固态存储的主要精力转向了企业、数据中心市场,消费级领域产品并不多。

眼下,Intel已经将NAND闪存业务卖给了韩国SK海力士,不过在交割完成前,Intel仍在全力推进技术与产品,去年12月份就全球首发了144层QLC NAND闪存,并推出了多款产品,包括今天的主角SSD 670p。

去年有不少笔记本都配备了Intel SSD 660p,用的也是QLC闪存,但因为写入性能不甚理想,反响并不太好。

SSD 670p能逆转这一形象吗?

首先说说Intel QLC闪存的进展,目前可以说QLC闪存方面Intel是最积极的,也是唯一突破100层堆叠的。

Intel的第一代QLC闪存诞生于2016年,最初只有32层堆叠,一年后翻番到64层,存储密度也增加了133%,然后是2019年的96层,存储密度增加50%。

最后就是我们现在看到的第四代,144层堆叠,存储密度又增加了50%,存储密度已经是当年的超过5倍。

Intel QLC闪存使用了浮动栅极结构,拥有紧密、对称的堆栈层,再结合CuA(阵列下CMOS)技术,没有单元开销,同时利用离散电荷存储节点,具备良好的编程/擦除阈值电压窗口,可以有效保障存储单元之间稳定的电荷隔离,以及完整的数据保留。

Intel宣称,这种结构的QLC具备高性能、大容量、高性能、高可靠性的优势,使得高性价比大容量SSD成为现实。

SSD 670p定位于桌面、笔记本的日常计算、办公、内容创作、主流游戏场景,可以完美取代HDD机械硬盘,规格方面自然不算多么高大上,但更加亲民。

标准的M．2 2280接口形态,新的第三代PCIe主控和固件(慧荣方案),PCIe 3．0 x4系统接口并支持NVMe,容量可选512GB、1TB、2TB,而且都是单面设计,更轻薄。

性能方面,顺序读写最高可达3．5GB/s、2．7GB/s,对比上代SSD 660p分别提升了94%、50%,QD1 4KB随机读写为20K IOPS、54K IOPS,QD8 4K随机读写则是31K IOPS、34K IOPS,比上代提升41%、55%,可以说各个方面都实现了均衡的飞跃,而且还有新一代动态SLS缓存的辅助。

功耗也大大降低,读写状态从100mW降至80mW,待机状态从40mW降至25mW,L1．2休眠状态更是仅仅3mW。

至于大家最关心的寿命,512GB、1TB、2TB的最大写入量分别是185TBW、370TBW、740TBW,五年质保,相当于每天0．2次全盘写入。

动态SLC缓存是TLC、QLC SSD的必备技能,标称性能其实都来自SLC缓存的读写。

SSD 670p系列的SLC缓存包括静态、动态两种,静态恒定不变,动态则根据总容量、可用容量而智能调整,相比上代增大了最多11%。

其中,512GB型号静态缓存6GB、动态缓存最多64GB,合计70GB,1TB、2TB则是最多12GB+128GB=140GB、24GB+256GB=280GB。

当然了,未来保证SLC缓存有效加速,建议不要把硬盘存满,要保留至少15%的空闲。

我们之前说过,SSD 670p面向的是日常客户端应用场景,在这里大约90%的应用负载都是低队列深度(QD),并且大多数都是读写混合,整体平均比例在70-30左右。

Intel建议,无论基准测试还是应用测试,都应当贴近这种状态,以反映真实性能表现。

Intel也放出了一组官方测试成绩,显示SSD 670p的各项性能指标相比上代都有了不同程度的进步,尤其是顺序读写提升了82%,写入性能偶尔略弱于部分竞品,但整体更加均衡,更像个“水桶”。

整体而言,SSD 670p相比其他主流的TLC/QLC SSD,在低队列深度写入方面有明显优势,60-40、90-10的典型随机读写组合中更是表现突出。

综合而言,Intel表示,SSD 670p同时针对低队列深度、混合工作负载进行了调优,实现了性能、成本、功耗的恰当平衡。

事实上,SSD 670p已经符合Intel Evo高端笔记本严苛认证,这也从侧面证明了其性能、可靠性。

Intel SSD 670p零售版已经上架预售,512GB 479元、1TB 799元、2TB 1779元,3月8日0点正式开卖,3月10日后发货。

惠普、戴尔、华硕、联想也会预装在其整机中,4月起陆续发售。

作者:上方文Q来源:快科技