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三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测:性能全面升级

来源:智能网
时间:2021-01-21 18:02:20
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三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测:性能全面升级三星存储近期发布了全新的870 EVO固态硬盘,这款硬盘是上代860 EVO的迭代产品,在性能方面进行了全面升级,同时采用

三星存储近期发布了全新的870 EVO固态硬盘,这款硬盘是上代860 EVO的迭代产品,在性能方面进行了全面升级,同时采用了最新的MKX主控和第六代V-NAND技术,不论是品质还是可靠性都非常出色,而对于消费者来讲,一款大容量兼顾高性能的固态硬盘对于我们日常工作效率有着质的提升。

设计外观:竖版结构 经典延续

外观方面,三星 870 EVO依旧延续了经典的设计风格,包装简洁大气,上面是整个产品的渲染图,同时关键性的信息也一目了然。

除了型号之外,这款SSD的性能可以达到惊人的560MB/S和530MB/S,这是目前SATA3接口理论带宽的最高值,性能领先目前市面上绝大部分的SATA3接口固态硬盘。

三星870 EVO正面是三星的品牌标识,并且还有经典的方块图案,同时黑色的外观也延续了EVO系列的一贯风格,代表着更高的性能和更加优秀的品质表现,辨识度极高,让用户一眼就能认出产品。

接口方面,三星870 EVO采用了标准的SATA接口设计,兼容多种设备,不论是老机升级还是为自己的笔记本电脑扩容,均非常的简单;在安装方面,标准的2.5英寸身材不论是台式机还是笔记本电脑,均能够轻松兼容,同时7mm的厚度,非常地轻薄。

MKX控制器+第六代1XX层 V-NAND+智能缓存

在控制器和NAND颗粒方面,全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器,相对于上代控制器全面升级,搭配大容量的独立缓存,能够提供极佳的性能表现,长时间的高负荷运载过程中,三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区,显著加快了写入速度,可在数据传输过程中长期保持高性能,在NAND方面,870 EVO使用了三星最新的第六代V-NAND技术,并且经过三星专业的电路设计,相对于第五代V-NAND颗粒,读写性能均有提升,达到560MB/S和530MB/S的连续读取性能表现,同时在持续的随机写入性能提升提升高达30%,综合性能全面升级,并且大幅领先市面上的其他竞品。

另外在可靠性方面,三星870 EVO从内到外,均为三星自主研发设计,为了确保每个元器件的正常运行,搭配1XX层V-NAND颗粒,总写入字节数最高可达2400TB,同时搭配5年有效质保,用户基本不用担心整块硬盘的寿命问题,可以安心使用。

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