KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜

北京某研究院采用伯东KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积制备碳薄膜,同时在室温和无催化层衬底的条件下,探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响.

伯东KRI射频离子源RFICP220技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

*可选:灯丝中和器;可变长度的增量

该溅射沉积是在气压为1.33×10^{-4Pa和衬底温度为室温条件下,利用KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射石墨,在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜.}

通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析;利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构;实验结果显示,辐照时间对ID/IG的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响,并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶.同时,在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜,在Si表面发现了特殊图案的碳纳米结构:雪花状,方块状及四角星状.

KRI离子源的独特功能实现了更好的性能,增强的可靠性和新颖的材料工艺.KRI离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性,而这些特性在不使用KRI离子源技术的情况下是无法实现的.

因此，该研究项目才采用KRI考夫曼射频离子源RFCIP220辅助溅射沉积工艺.

伯东是德国Pfeiffer真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国KRI考夫曼离子源, 美国HVA真空阀门, 美国inTEST高低温冲击测试机, 美国Ambrell感应加热设备和日本NS离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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