开关电源MOS管的工作损耗计算

   耗计算式计算：
    × RDS(on) × K ×
    截止损耗计算：
    × IDSS ×（ 1-Don ）
    会依 VDS(off) 变化而变化，如计算得到的漏源电压 VDS(off) 很大以至接近 V(BR)DSS 则可直接引用此值。
    开启过程损耗计算：
    开启过程 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上图所示。首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS(off_end) 、开启完成后的 IDS(on_beginning) 即图示之 Ip1 ，以及 VDS(off_on)(t) 与 IDS(off_on)(t) 重叠时间 Tx 。然后再通过如下公式计算：
    ×∫ Tx VDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) ×
    关断过程损耗
    首先须计算或预计得到关断完成后之漏源电压 VDS(off_beginning) 、关断时刻前的负载电流 IDS(on_end) 即图示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t) 与 IDS(on_off)(t) 重叠时间 Tx 。
    然后再通过 如下公式计算：
    ×∫ Tx VDS(on_off) (t) × IDS(on_off)(t) ×
    驱动损耗的计算：
    × Qg ×
    电容的泄放损耗计算：
    首先须计算或预计得到开启时刻前之 VDS ，再通过如下公式进行计算：
    × VDS(off_end)2 × Coss ×
    体内寄生二极管正向导通损耗计算：
    利用体内寄生二极管进行载流的应用中（例如同步整流），需要对此部分之损耗进行计算。公式如下：
    × VDF × tx ×
    体内寄生二极管反向恢复损耗计算：
    公式如下：
    Pd_recover=VDR × Qrr × fs