比亚迪半导体推出1200V1040A高功率SiC模块

近日，比亚迪半导体推出全新1200V1040ASiC功率模块。

据了解，1200V1040ASiC功率模块在不改变原有模块封装尺寸的基础上将模块功率大幅提升了近30%，主要应用于新能源汽车电机驱动控制器。它突破了高温封装材料、高寿命互连设计、高散热设计及车规级验证等技术难题，充分发挥了SiC功率器件的高效、高频、耐高温优势。

1200V1040ASiC功率模块，采用了双面烧结工艺，即SiCMOSFET上下表面均采用烧结工艺进行连接，具备更出色的工艺优势与可靠性。SiCMOSFET芯片下表面采用烧结工艺，相比传统焊接工艺模块，连接层导热率最大可提升10倍，可靠性更是可提升5倍以上；芯片上表面采用烧结工艺，因烧结层具有的高耐温特性，SiC模块工作结温可提升至175℃，试验证明，其可靠性是传统工艺的4倍以上。