飞兆半导体的MicroFET系列产品可在广泛的低电压应用中节省空间并延长电池寿命

　　飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)日前推出11种新型MicroFET MOSFET产品，提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗应用，包括移动电话、数码相机、游戏机、远程POS终端，以及其它大批量的便携式产品。这些产品需要空间优化和为了延长电池寿命和保证可靠性而需要优秀的散热和电气性能。MicroFET功率开关结合飞兆半导体的先进PowerTrench技术和业界标准的模塑无铅封装 (MLP)，因此，较之于传统使用大型封装的功率MOSFET，MicroFET 器件在散热性能和节省空间方面有着显著优势。

　　飞兆半导体的MicroFET采用MLP封装，为设计人员带来全新的封装选择，即是在充电器、升压转换器、DC/DC转换器及负载开关应用中广泛采用的SSOT-6或SC-70器件封装之外。采用2x2mm MLP封装的MicroFET较3x3mm SSOT-6封装的MOSFET体积减小55%，同时具有更高的性能。例如，较之于典型的双P沟道SSOT-6 (9mm2) 器件，MicroFET (4mm2) 的 RDS(ON) 降低了17% (95 m?对比于115m?)、热阻降低16% (151°C/W对比于180°C/W (最小铜焊盘数值))。此外，与较大的3x1.9mm MLP器件甚至是类似的小型封装SC-70相比，MicroFET器件提供的散热性能和效率明显高出很多。举例说，与双P沟道SC-70器件相比，飞兆半导体MicroFET的RDS(ON) 低80%、热阻低65%。

　　飞兆半导体低压功率业务市务总监Chris Winkler称：“飞兆半导体提供了面向低压应用最全面的产品系列。这些易于实现和节省空间的高性能MOSFET，是所有用户的低压开关和功率管理/电池充电系统的理想选择。在2005年，飞兆半导体率先推出MLP封装的MicroFET，具有以往在SC-70外形中使用SSOT-6器件才能提供的高性能。飞兆半导体此次推出11种新器件，为客户提供了更多扩充的MicroFET产品系列的选择。”

　　这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。