科锐推出新款650V MOSFET，可让电动汽车车载充电的功率增加三倍

    据外媒报道，当地时间3月30日，碳化硅技术全球领导者科锐（Cree）宣布扩大其产品组合，推出新款Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），可实现更广泛的工业应用，让下一代电动汽车（EV）车载充电、数据中心以及其他可再生能源系统具备行业领先的功率效率。

    新款650V设备分为15 mΩ和60 mΩ两个版本，采用行业领先的科锐第三代C3M™ MOSFET技术，与其他碳化硅MOSFET竞品相比，可将转化损失降低20%，而且可提供最低通路电阻，以实现更高效、功率密度更高的解决方案。新款MOSFET通过更高效地使用电力、降低冷却要求、具备行业领先的可靠性，可在各种应用程序中实现更低的保有成本。

    与硅相比，Wolfspeed新款650V碳化硅MOSFET可降低75%的开关损耗和50%的传导损耗，从而使功率密度增加三倍。现在，设计工程师能够达到，甚至超过行业内的最高效率标准，包括符合服务器电源80 Plus® Titanium标准的要求。

    新650V MOSFET系列也是电动汽车市场车载充电器（OBC）产品的理想选择。功率得到提升、开关更快可让客户设计尺寸更小，但是性能更高的解决方案。Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET还可以在不影响解决方案的尺寸、重量和复杂性的情况下，实现车载充电器的双向充电功能。此外，Wolfspeed产品通过了汽车AEC-Q101认证，得到了E系列MOSFET系列的验证，为未来符合汽车要求的650V MOSFET产品铺平了道路。

    （来源：盖世汽车）