我科研团队取得场效应储能芯片研究新进展

【我科研团队取得场效应储能芯片研究新进展】：6月4日，记者从武汉理工大学获悉，该校麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展，相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域，设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件，实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破，进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。该研究工作提出调制材料费米能级结构实现储能芯片性能倍增的新思路，通过设计构筑场效应储能芯片，实现电化学工况下材料费米面梯度的原位调控和性能提升。施加场效应后，离子迁移速率提高10倍，材料容量提高3倍以上。该研究得到国家重点研发计划和国家重大科研仪器研制项目的支持。