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武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展

来源:
时间:2022-06-07 19:41:01
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武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展【武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展】:集微网消息,据科技日报报道,武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片

【武汉理工大学科研团队在场效应储能芯片研究上取得新进展】:集微网消息,据科技日报报道,武汉理工大学麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展,相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域,设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件,实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破,进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。据介绍,储能芯片是支撑车联网、智慧农业、医疗无线监测等技术发展的核心器件。本研究工作通过设计构筑场效应储能芯片,实现电化学工况下材料费米面梯度的原位调控和性能提升。施加场效应后,离子迁移速率提高10倍,材料容量提高3倍以上。本研究得到国家重点研发计划和国家重大科研仪器研制项目的支持。
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